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氮化鎵單晶在新型顯示領(lǐng)域的應(yīng)用：microLED 技術(shù)
- 分類：應(yīng)用領(lǐng)域
- 發(fā)布時(shí)間：2022-09-26 10:49:58
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概要:
詳情
- 氮化鎵單晶：更小的尺寸、更高高分辨率，芯片波長(zhǎng)一致性，更小的漏電流，在小電流驅(qū)動(dòng)下更高的效率，同質(zhì)外延MicroLED技術(shù)通向“摩爾定律”之路。
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WLD=472.5nm,std=0.9nm |
WLD=472.5nm,std=0.9nm |
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氮化鎵單晶襯底上同質(zhì)外延芯片的波長(zhǎng)一致性，有助于解決海量分選問題和巨量轉(zhuǎn)移問題。 |
氮化鎵單晶襯底上同質(zhì)外延的芯片表現(xiàn)出較好的發(fā)光均勻性。 |
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更小的漏電流 |
小電流驅(qū)動(dòng)下更高的效率 |
氮化鎵單晶在新型顯示領(lǐng)域的應(yīng)用：激光投影顯示
- 氮化鎵單晶：氮化鎵單晶襯底是激光顯示技術(shù)路線的唯一襯底技術(shù)。
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激光顯示 |
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